Модуль памяти DDR-III 2GB Hynix


ХАРАКТЕРИСТИКИ

Модуль памяти DDR-III 2GB Hynix original (Korea) 1600Mhz PC-12800 1.35V (HMT425U6CFR6A-PBN0)

Тип памяти:DDR3L
Форм-фактор:DIMM 240-контактный
Тактовая частота:1600 МГц
Пропускная способность:12800 Мб/с
Объем:1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC:нет
Буферизованная (Registered):нет
Низкопрофильная (Low Profile):нет
CAS Latency (CL):11
Напряжение питания:1.35 В
Количество ранков:1
Модель:Модуль памяти DDR-III 2GB Hynix original (Korea) 1600Mhz PC-12800 1.35V (HMT425U6CFR6A-PBN0)

По вопросам покупки Модуль памяти DDR-III 2GB Hynix original (Korea) 1600Mhz PC-12800 1.35V (HMT425U6CFR6A-PBN0) в рассрочку без переплаты или покупки в кредит обращаться по телефонам в Заречном 655-222 и в Пензе 68-70-44

Доставка Модуль памяти DDR-III 2GB Hynix original (Korea) 1600Mhz PC-12800 1.35V (HMT425U6CFR6A-PBN0) в пензу производится бесплатно, на следующий день после заказа по адресу г. Пенза, Володарского 73, Фирменный магазин Samsung